p型ZnO掺杂及其发光器件研究进展与展望
发表时间：2020-02-17
点击次数：
- 论文类型：
- 期刊论文
- 第一作者：
- 王新胜
- 合写作者：
- 杨天鹏,刘维峰,徐艺滨,梁红伟,常玉春,杜国同
- 发表时间：
- 2006-01-15
- 发表刊物：
- 材料导报
- 收录刊物：
- PKU、ISTIC、CSCD
- 文献类型：
- J
- 卷号：
- 20
- 期号：
- 1
- 页面范围：
- 104-108
- ISSN号：
- 1005-023X
- 关键字：
- ZnO薄膜;p型掺杂;第一性原理;MOCVD;MBE
- 摘要：
- ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族宽带隙半导体,具有很多优异的的光电性能.但一般制备出的ZnO薄膜材料均是n型,很难实现p型的掺杂.ZnO的p型掺杂是实现其光电器件应用的关键技术,也是目前ZnO研究的关键课题.目前在p型ZnO的掺杂理论和实验方面都有很大的进展,对此进行了详细的分析与论述,并且展望了p型ZnO薄膜制备的前景.
- 是否译文：
- 否
