TDI图像传感器横向抗晕栅极电压与满阱容量关系研究
发表时间：2020-07-03
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- 论文类型：
- 期刊论文
- 第一作者：
- 曲杨
- 合写作者：
- 王欣洋,周泉,常玉春
- 发表时间：
- 2020-01-01
- 发表刊物：
- 半导体光电
- 文献类型：
- J
- 卷号：
- 41
- 期号：
- 2
- 页面范围：
- 169-172
- ISSN号：
- 1001-5868
- 关键字：
- 时间延时积分;CMOS;光晕;横向抗晕栅;满阱容量
- 摘要：
- 时间延时积分CMOS图像传感器(TDI-CIS)具有优良的微光探测能力,可应用于航空探测及卫星遥感等领域.然而,在入射光强较强时,TDI-CIS容易出现光晕(Blooming)现象,影响观测效果.首先分析了光晕产生的机理;然后基于两种传统的抗晕结构,设计出一种具有沿垂直方向布局的长方形横向抗晕栅的TDI-CIS;通过成像实验发现横向抗晕栅极电压与抗晕效果及满阱容量(FWC)之间呈负相关关系;最后通过实验得到所设计TDI-CIS的最优抗晕栅极电压值为2.1V.
- 是否译文：
- 否
